消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发，准备向量产转移

本站 7 月 1 日消息，综合韩媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 报道，三星电子当地时间昨日下午对其第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米授予生产准备批准 (PRA)。这标志着三星完成 1c nm 内存开发，准备向量产转移。

三星电子的 HBM4 12Hi 内存将使用 1c nm DRAM Die，可以说该内存工艺的表现在很大程度上影响了 DS 部门存储器事业部未来 1~2 年的营收表现。

而在三星电子之前，SK 海力士和美光也都完成了第六代 20~10nm 制程 DRAM 的开发，三大内存原厂向 10nm 关口更近了一步。